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状態数に関するエラー

シミュレーション中にエラーが起きる、またはシミュレーションが収束せず、極端にシミュレーションに時間がかかる場合は次の項目が原因となっている場合があります。

State Numエラー

[STATE_NUM]

極端なパラメーター値になっている

極端に小さなキャパシタやインダクタが存在する回路で起こるエラーです。 それらの素子の影響が小さいと考えられる場合は取り外し、そうでない場合は、キャパシタやインダクタの値を影響の出ない範囲で大きくしてください。

ダイオードにLが直結されている

シミュレーション速度が極端に遅くなる場合は、直結したLに対して並列に高抵抗を追加してください。

Cの並列接続やLの直列接続や大量のCやLがある回路

C, Lの数はシミュレーション速度に影響します。 Cの並列回路、Lの直列回路は避けて、一つのC、Lにまとめることでシミュレーション速度の向上につながります。 Lに関して離れた場所にあっても、Lの直列回路となっていることがありますので、回路を広く見ることで、エラーの解決につながります。

下記はシミュレーション中にエラーとなる可能性のあるLの接続例とその解決方法となります。

エラーとなる可能性のある接続方法

fig

解決策1 大きな抵抗を並列に接続する

fig

解決策2 2つのLを合成してLを一つとする

fig

トランスに対するLCの不正接続

トランスは理想素子であるため、C、Lの接続の仕方、例えばトランスの両端に接続すると場合によっては不正接続となってしまうことがあります。 回路特性に影響しないようなRをCには直列、Lには並列に追加してください。

NANDのたすきがけ回路を含む場合

NANDのたすきがけ回路は、出力が交互に入力にフィードバックされるため状態決定が困難となり、状態エラーが発生することがあります。
エラーになる場合は、右図の回路に置き換えると解決できる可能性があります。
NAND1

論理的動作は、禁止入力を除いて同等です。

NAND2

  • オンオフの状態決定に関するエラー
ダイオードや抵抗のパラメーター値が適切でない

以下のような時にオンオフの状態決定エラーが発生する場合があります。
1. ダイオード[Diode]のオフ抵抗(デフォルト:1MΩ)が大きすぎる。
2. 1mΩ以下の小さい 抵抗[Resistor]が使用されている。
上記のような場合、ダイオードのオフ抵抗であれば小さく(例:100kΩ程度)、
抵抗の場合では1mΩ以上の影響のない範囲で大きくしてください。

スイッチのドライブ方法で起こる状態決定エラー

次の回路は、パルス発生器[Pulse] P1スイッチ[Switch] Q1をドライブし、P1のON・OFFにしたがってQ1をON・OFFしようとする回路です。
しかし、この回路では状態決定エラーが生じ、シミュレーションが失敗、または不正なシミュレーション結果となります。
fig

理由は以下のとおりです。 まず、P1がOFFだとします。
この時、Q1はOFFでR1に電流が流れないので、R1の電圧は0Vです。
次にP1がONになったとします。
すると、Q1のソース・ゲート間には2Vがかかり、一瞬Q1がONしますが、Q1がONするとR1に電流が流れR1の電圧は5VQ1のオン電圧は無視する)になります。
すると、Q1のソース・ゲート間には2 - 5 = -3Vの電圧がかかりQ1はOFFします。
Q1がOFFになると、R1の電圧が0Vとなって初めの状態に戻り、これらの動作が循環し状態エラー(状態が決定できない)となります。  

これを避けるには、P1Q1のドライブ回路を以下のように修正します。 fig
この回路では、R1の状態に関係なくP1Q1を確実にドライブでき、状態エラーは解消されます。
このように、スイッチをドライブするときには、ドライブ素子または回路を直接スイッチの端子に接続してください。

スイッチング素子(スイッチやダイオード)が多数存在する場合

スイッチング素子が多数存在する場合は、数値誤差などにより状態決定エラーが生じる場合があります。
この場合、以下のような手順で回避します。

  1. スイッチ[Switch] のしきい値電圧のようにヒステリシス値が設定できる場合は、適当な値を入れてみる。

  2. スイッチング素子のバイアス電圧部分に小さな キャパシタ[Capacitor]を付加する。 これによりバイアス電圧が落ち着き状態が確定する。
    fig

  3. 増幅動作が必要ない箇所でのMOSFETやトランジスタによるスイッチングは避ける。 スイッチング動作のみのシミュレーションでよい場合には スイッチ[Switch]、または PWMスイッチ[PWM Switch]を用いる。

多数の同じパラメータ値のダイオードが対称的に接続されている場合

多数のダイオードが同じパラメータ値を持ち接続に対称性があると、 同時にオンオフするダイオードが生じるため状態エラーが生じやすくなります。
下図のように4個のダイオードでディスクリート構成して、状態エラーが発生した場合、D1のオフ抵抗を半分にしてください。
fig

Analysisエラー

[ANALYSIS]

極端なパラメーター値になっている

極端に小さなキャパシタやインダクタが存在する回路で起こるエラーです。 それらの素子の影響が小さいと考えられる場合は取り外し、そうでない場合は、キャパシタやインダクタの値を影響の出ない範囲で大きくしてください。

ダイオードにLが直結されている

シミュレーション速度が極端に遅くなる場合は、直結したLに対して並列に高抵抗を追加してください。

Cの並列接続やLの直列接続や大量のCやLがある回路

C, Lの数はシミュレーション速度に影響します。 Cの並列回路、Lの直列回路は避けて、一つのC、Lにまとめることでシミュレーション速度の向上につながります。 Lに関して離れた場所にあっても、Lの直列回路となっていることがありますので、回路を広く見ることで、エラーの解決につながります。

下記はシミュレーション中にエラーとなる可能性のあるLの接続例とその解決方法となります。

エラーとなる可能性のある接続方法

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解決策1 大きな抵抗を並列に接続する

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解決策2 2つのLを合成してLを一つとする

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トランスに対するLCの不正接続

トランスは理想素子であるため、C、Lの接続の仕方、例えばトランスの両端に接続すると場合によっては不正接続となってしまうことがあります。 回路特性に影響しないようなRをCには直列、Lには並列に追加してください。

Info

エラーが解決しない場合には、お問い合わせフォームまでご連絡ください。 お問い合わせの際には、エラーメッセージの内容を記載していただけると、正確な回答をスムーズに行うことができます。